Samsung’un seri üretimine geçildiği duyurulan “Toggle DDR 4.0” NAND arayüzünü ilk kez kullanan yeni 256 Gigabit V-NAND çipleri ile tanışın…
Gelişmiş bellek teknolojisinde önde gelen üreticiler arasında yer alan Samsung, piyasada mevcut en yüksek veri aktarım hızına sahip olduğu kaydedilen beşinci nesil V-NAND bellek çiplerinin seri üretimine geçtiğini duyurdu. Samsung’un geniş yelpazedeki piyasa ihtiyaçlarını karşılamak için beşinci nesil V-NAND üretimini hızla artıracağı belirtildi.
Sektörde ‘Toggle DDR 4.0’ arayüzünün ilk kez kullanıldığı Samsung’un yeni 256 Gigabit V-NAND çipi, depolama cihazı ile bellek modülleri arasındaki veri aktarımının hızını 64-katmanlı öncüllerine göre %40 artırarak 1.4 Gbps değerine ulaştırıyor.
Çalışma gerilimini de düşürdü…
Samsung’un yeni V-NAND modelinin enerji verimliliği de özellikle çalışma geriliminin 1,8 volttan 1,2 volta düşmesi sayesinde 64-katmanlı çiplerle karşılaştırılabilir düzeyde kalıyor.
En yüksek yazma hızına sahip…
Yeni V-NAND aynı zamanda 500-mikrosaniye (μs) ile bugüne kadarki en yüksek yazma hızına da sahip: Bu da yazma hızında önceki nesle kıyasla %30’luk bir artış olduğu anlamına geliyor. Aynı şekilde, okuma sinyallerine yanıt süresi de önemli ölçüde azalarak 50 mikrosaniyeye (μs) kadar düşmüş durumda.
Samsung Electronics Türkiye’nin Veri Depolama Ürünlerinden Sorumlu Müdürü İsa Tolu yaptığı açıklamada; “Samsung’un beşinci nesil V-NAND çipleri, hızla gelişen yüksek kaliteli bellek piyasasındaki en gelişmiş modeli sunacak.” dedi.
