Samsung Electronics, ileri bellek teknolojisinde öncü olarak, 9. nesil dikey NAND (V-NAND) için seri üretime başladığını duyurdu. Bu yeni nesil V-NAND, üç seviyeli hücre (TLC) yapısıyla 1 terabit (Tb) kapasite sunuyor ve NAND flash pazarındaki liderliğini pekiştiriyor.
Samsung 9. nesil V-NAND’in ilk seri üretimine başladı
Samsung, 9. nesil V-NAND ile önceki nesle göre yaklaşık yüzde 50 daha yüksek bit yoğunluğuna ulaştı. Şirket, bu nesilde endüstrinin en küçük hücre boyutunu ve en ince kalıbını kullanarak üretkenliği artırdı. Gelişmiş “kanal deliği aşındırma” teknolojisi, çift katmanlı yapı ile hücre katmanlarının sayısını artırarak üretim verimliliğini yükseltiyor.
V-NAND’deki yenilikler, hücreler arası etkileşimi azaltırken ürün kalitesini ve güvenilirliğini artırmak üzere tasarlandı. Bu nesil ayrıca, 3.2 gigabit/saniyeye kadar veri giriş/çıkış hızlarını destekleyen yeni nesil NAND flash arayüzü “Toggle 5.1” ile donatılmış. Bu yüksek performans, Samsung’un katı hal sürücü (SSD) pazarındaki konumunu güçlendirmeyi hedeflerken, PCIe 5.0 desteğini de genişleteceğini gösteriyor.
 için endüstrinin ilk seri üretimine başladığını duyurdu.){kind=link}