Samsung, yeni 10nm FinFET teknolojisine ilişkin detayları kamuoyuyla paylaştı. Şirketin kendi işlemcileri (Exynos) ve Qualcomm Snapdragon 830 ile birlikte geleceği bildirilen teknolojisi, teknoloji dünyasında bir ilk.
2017’de başlanacağı kaydedilen üretim süreci, Samsung’un sonraki nesil amiral gemisi Galaxy S8’de 10nm ile üretilecek Exynos ve Snapdragon çipsetlerine işaret etmesi açısından da önem taşıyor. 2017 Mart ayında duyurulması beklenen sonraki nesil Galaxy S8 için ilk donanımsal bilgiler de bu sayede açığa çıkmış durumda. Öte yandan söz konusu teknolojinin Galaxy S8’e yetişmeme ihtimali de yok değil. 14nm FinFET (önceki nesil) ile gelen işlemcilere sahip Galaxy S8 olasılığı da bir hayli yüksek. Cihaz 10nm FinFET’le mi yoksa 14nm FinFET’le mi gelecek? Sonuç merakla beklenmeye başlandı bile…
Peki 10nm FinFET teknolojisi ne ifade ediyor? Bu platform üzerindeki işlemcilerin yüzde 27’ye varan oranlarda daha performanslı olacağı, ayrıca yüzde 40 daha az enerji tüketeceği belirtildi. Yüzde 30 daha fazla alanine açılacağı ve böylelikle daha fazla transistörün işlemcilerin içine konumlandırılabileceği de gelen detay bilgiler arasında. Benzer boyutlar ve daha üstün performans, teknolojinin merkezi olacak gibi görünüyor.
10LPE şeklinde kodlanan 10nm FinFEt üretim teknolojisi ile birlikte daha gelişmiş kablosuz ağ teknolojileri ve daha iyi kameraların da önü açılmış olacak.
Gelişmeleri aktarmaya devam edeceğiz…
